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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护半导体 |
描述 | TVS DIODE 22VWM 26VC TSLP2TVS二极管阵列 Diode TVS Dual Bi-Dir 14V |
产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,Infineon Technologies ESD8V0L2B-03L E6327- |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/esd8v0lseries.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011488a9e66f0ded&fileId=db3a30431441fb5d011488ab01860dee |
产品型号 | ESD8V0L2B-03L E6327 |
PCN封装 | |
不同频率时的电容 | 4pF @ 1MHz |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30476 |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | TVS二极管阵列 |
供应商器件封装 | PG-TSLP-3 |
其它名称 | 8V0L2B03LE6327XT |
击穿电压 | 14.5 V |
功率-峰值脉冲 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
单向通道 | - |
双向通道 | 2 |
商标 | Infineon Technologies |
安装类型 | 表面贴装 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-101,SOT-883 |
封装/箱体 | TSLP |
尺寸 | 0.6 mm W x 1 mm L x 0.35 mm (Max) H |
峰值浪涌电流 | 1 A |
工作温度 | -55°C ~ 125°C (TJ) |
工作电压 | 14 V |
工厂包装数量 | 15000 |
应用 | 通用 |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 55 C |
极性 | Bidirectional |
标准包装 | 15,000 |
电压-击穿(最小值) | 23V (标准) |
电压-反向关态(典型值) | 22V (最小值) |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 26V (标准) |
电容 | 7 pF |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1A (8/20µs) |
电源线路保护 | 无 |
类型 | 齐纳 |
系列 | ESD8V0 |
钳位电压 | 26 V |
零件号别名 | ESD8V0L2B03LE6327XTMA1 SP000055122 |